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据上证报报道,日前举行的2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上,英诺赛科产品应用总监邹艳波表示,过去三年,氮化的性能获得大幅提升。随着技术的迭代和规模效应发挥,成本已与跟硅器件接近。特别是形成系统方案之后,整体的成本已经可以为客户带来收益。
上证报指出,多家国内外功率半导体巨头正在积极投资氮化领域: 英飞凌斥资8.3亿美元收购氮化系统公司,安世半导体推出了三代650V氮化场效应晶体管,珠海未来已经着手将氮化嫁引入到户外电源的双向逆变器。
据业内预测,从2021年到2027年,全球氮化嫁功率器件市场的复合年增长率预计将达到30%,增长的推动力主要源自电力电子设备的小型化和高效率化需求。
公司方面,上证报表示主要包括:
中瓷电子:拟以发行A股方式购买十三所氮化家通信基站射频芯片业务。
安克创新:推出了GaNPrime全氮化缘家族快充产品等技术领先适配性强的新品。
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